近日，英飞凌宣布能以更低成本生产由创新材料氮化镓制成的芯片，该公司已经成功开发出全球首款12英寸（300mm）功率氮化镓（GaN）晶圆，并将在今年11月举行的慕尼黑电子展上向公众展示。英飞凌希望通过新工艺长期确保氮化镓芯片的价格不会高于硅半导体。据称，该技术已在位于菲拉赫工厂的试产线上得到验证，目前将根据需求扩大产能。

作为第三代半导体材料的典型代表，在过去多年的发展历程中，氮化镓似乎一直都被碳化硅稳压一头。而这次，氮化镓率先实现12英寸晶圆量产的消息传来，备受行业瞩目。英飞凌是全球首家在现有大规模生产环境中掌握氮化镓半导体晶圆技术的供应商。据该公司称，这些晶圆上可容纳的半导体数量是迄今常见晶圆的2.3倍。因此，未来这种元件的价格可能会大幅降低。对客户来说，用氮化镓半导体替代迄今占主导地位的硅半导体将更具吸引力。

而就在英飞凌宣布12英寸GaN晶圆前几天，信越化学宣布实现了GaN专用生长衬底300mm QST衬底，并开始发货样品。此外，英特尔、晶湛半导体、IVWorks 等多家企业也曾宣布实现了12英寸GaN突破，在器件、外延、生产设施等方面实现技术突破。

在AI浪潮驱动之下，数据中心和具身智能成为重要的应用落点。对于新材料氮化镓（GaN）来说，在消费电子快充场景之外，其应用市场也将快速拓维。专家预计，氮化镓功率半导体业务将实现近10倍的增长：从去年的2.6亿美元增至2029年的25亿美元。

氮化镓，作为第三代半导体材料的佼佼者，当前优势逐渐占据上风。