无锡旷通申请平面MOS专利，提高平面MOS器件恢复速率_资讯

无锡旷通申请平面MOS专利，提高平面MOS器件恢复速率

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2024-10-11 03:40:53

金融界2024年10月9日消息，国家知识产权局信息显示，无锡旷通半导体有限公司申请一项名为“平面MOS的制备方法及平面MOS结构”的专利，公开号 CN 118748148 A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，本发明涉及一种平面MOS的制备方法及平面MOS结构，包括以下步骤：选取第一导电类型衬底，并在第一导电类型衬底正面上生长出第一导电类型外延层；在第一导电类型外延层表面的部分区域内注入第二导电类型离子，并高温推进，在第一导电类型外延层内形成第二导电类型体区；在第一导电类型外延层正面形成栅极结构；在第二导电类型体区内形成第一导电类型源区；在第二导电类型外延层表面沉积绝缘介质层；对器件正面进行扩铂工艺；在绝缘介质层的正面沉积金属，形成正面金属层，并在第一导电类型衬底的背面沉积金属，形成背面金属层，本发明具有有效的提高平面MOS器件的恢复速率，比辐照工艺下的平面MOS的恢复速率快50％，且开关漏电流小，工作结温小的效果。

来源：金融界

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