三星电子在DRAM技术领域第一的地位受到极大动摇的点就是1a DRAM。

10nm级DRAM按照以下顺序发展：1x（第一代）- 1y（第二代）- 1z（第三代）- 1a（第四代）- 1b（第五代）。

1a DRAM的线宽约为14纳米(nm)。

尽管三星电子无法比竞争对手更快地量产1a DRAM，但试图通过更积极地引入EUV（极紫外线）等先进技术来提高竞争力。

三星电子在1a DRAM上应用的EUV层数为5层，超过SK海力士（1层）。

目前普遍的评估是，此类尝试尚未取得成功结果。

与现有的曝光（在半导体上雕刻电路的工艺）工艺ArF（氟化氩）相比，EUV在缩小线宽方面具有优势。

EUV的优势在于可以提高工艺效率并降低制造成本，而这正是存储器的核心。

可是EUV技术难度较高，成为实际量产应用过程中降低工艺稳定性的因素。

结果，三星电子1a DRAM的成本并没有像最初预期那样下降。

评估结果是DRAM设计本身并不完美。

尤其是由于服务器产品开发受挫，DDR5应用的时机较竞争对手有所延迟。

事实上，SK海力士的1a DRAM服务器DDR5产品率先获得英特尔认证。

1a DRAM的性能阻碍了三星电子向英伟达的HBM3E量产供应。

英伟达验证过程中发现，三星电子HBM的数据处理速度低于其他产品。

HBM3E 8层的数据处理速度（Gbps）下降到SK海力士和美光的10%左右。

这款产品的性能远远不如竞争对手