金融界2024年11月15日消息,国家知识产权局信息显示,上海积塔半导体有限公司申请一项名为“一种三维存储器及其制备方法”的专利,公开号CN 118946162 A,申请日期为2024年10月。
专利摘要显示,本发明提供了一种三维存储器及其制备方法。本发明通过将上下电极层优化为左右电极层,实现将传统横向存储单元优化为纵向存储单元,单个存储单元有效面积增加,可以实现单个存储单元面积更小、以节省存储单元的占用面积;器件有效面积的增加可以提高存储性能,优化提升器件运行效率及可靠性。且纵向存储单元的设置,即使与第一电极层接触的第一主连接结构存在突起,也不会对存储层的沉积及相变性能造成影响;且使得形成第二电极层时,不存在刻蚀穿存储层的问题,从而可以避免影响存储单元的性能。且仅需两道接触孔光罩工艺,节省一道接触孔光罩工艺,能够有效降低生产成本。
来源:金融界