上海积塔半导体申请三维存储器及其制备方法专利，节省生产成本_资讯

上海积塔半导体申请三维存储器及其制备方法专利，节省生产成本

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2024-11-16 12:41:20

金融界2024年11月15日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“一种三维存储器及其制备方法”的专利，公开号CN 118946162 A，申请日期为2024年10月。

专利摘要显示，本发明提供了一种三维存储器及其制备方法。本发明通过将上下电极层优化为左右电极层，实现将传统横向存储单元优化为纵向存储单元，单个存储单元有效面积增加，可以实现单个存储单元面积更小、以节省存储单元的占用面积；器件有效面积的增加可以提高存储性能，优化提升器件运行效率及可靠性。且纵向存储单元的设置，即使与第一电极层接触的第一主连接结构存在突起，也不会对存储层的沉积及相变性能造成影响；且使得形成第二电极层时，不存在刻蚀穿存储层的问题，从而可以避免影响存储单元的性能。且仅需两道接触孔光罩工艺，节省一道接触孔光罩工艺，能够有效降低生产成本。

来源：金融界

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