华为申请晶体管及其制备方法等专利，改善晶体管的性能_资讯

华为申请晶体管及其制备方法等专利，改善晶体管的性能

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2024-11-29 14:02:02

金融界2024年11月28日消息，国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司申请一项名为“晶体管及其制备方法、集成电路、电子设备”的专利，公开号CN 119031727 A，申请日期为2023年5月。

专利摘要显示，本申请实施例公开一种晶体管及其制备方法、集成电路、电子设备，涉及半导体技术领域。该晶体管包括衬底，沟道层，第一介质层，源极，漏极，第一保护图案和/或第二保护图案。沟道层的材料包括低维材料。第一介质层的材料包括氧元素。源极与沟道层相接触。漏极与沟道层相接触。第一保护图案位于源极和第一介质层之间，第一保护图案用于阻隔第一介质层中的氧元素向源极的移动。第二保护图案位于漏极和第一介质层之间，第二保护图案用于阻隔第一介质层中的氧元素向漏极的移动。利用第一保护图案和/或第二保护图案，可以对源极和/或漏极形成防护，降低周围环境(例如第一介质层)对源极和/或漏极的侧面的影响，改善晶体管的性能。

来源：金融界

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