长鑫存储申请存储阵列结构专利，提高存储阵列结构的电学性能_资讯

长鑫存储申请存储阵列结构专利，提高存储阵列结构的电学性能

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2024-11-29 15:42:34

金融界2024年11月28日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“存储阵列结构”的专利，公开号CN 119031697 A，申请日期为2023年5月。

专利摘要显示，本公开实施例涉及半导体技术领域，提供一种存储阵列结构，存储阵列结构包括：基底；位于基底表面的个呈四方排布的第一晶体管和个呈六方密排的第二晶体管；第一晶体管包括第一半导体层、第一栅极、和与第一半导体层不同区域电连接的第一电极和第二电极，第一电极位于基底表面，第二电极位于第一电极远离基底的一侧，相邻第二电极之间绝缘；第二晶体管包括第二半导体层、位于第二半导体层相对的两侧的第二栅极和第三栅极、和与第二半导体层不同区域电连接的第三电极和第四电极，第二电极还与第二栅极电连接。本公开实施例至少有利于提高存储阵列结构的电学性能，以及提高存储阵列结构的存储密度。

来源：金融界

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