在近日于横琴粤澳深度合作区圆满落幕的中国微电子产业促进大会暨第十九届“中国芯”优秀产品征集结果发布仪式上，新一届“中国芯”奖项正式揭晓。凭借卓越的技术创新实力，英诺赛科自研的40V车规级增强型氮化镓器件（INN040FQ045A-Q）脱颖而出，荣获优秀技术创新产品奖，这也是英诺赛科连续四年获此殊荣。

此次“中国芯”奖项征集活动吸引了280家芯片企业积极参与，共征集到364款覆盖整个集成电路领域的优秀芯片产品。作为氮化镓行业的佼佼者，英诺赛科凭借其在氮化镓领域的深厚积累和不断创新的技术实力，再次赢得了业界的广泛认可。

英诺赛科自研的INN040FQ045A-Q器件，不仅通过了AEC-Q101车规级认证，更以其小体积、低损耗、高频高功率的显著优势，在高频DC-DC转换器、负载点电源、包络追踪、USB充电器及移动电源等领域展现出广阔的应用前景。与市面上同类产品相比，该器件的尺寸仅为主流MOSFET DFN5*6封装的40%，这一突破性的设计不仅有助于缩小器件占板面积，还能满足车载充电通讯模块如UMM（USB Multi-Connect Module）及UCM（USB Charging Module）的大功率充电和高频通讯需求，为新能源汽车的智能化、便捷化发展提供了强有力的技术支持。

“中国芯”活动作为国内集成电路领域极具影响力和权威性的盛会，一直被誉为集成电路产品和技术发展的“风向标”。英诺赛科能够连续多年获评优秀技术创新产品，不仅是对其深厚技术实力的认可，更是行业及市场对英诺赛科坚持创新、持续研发投入的肯定。

展望未来，英诺赛科将继续秉持专注研发、坚持创新的理念，致力于推动氮化镓技术的不断突破和应用拓展，为集成电路产业的繁荣发展贡献力量。