长鑫存储申请半导体结构的制备方法专利，提高半导体结构的性能_资讯

长鑫存储申请半导体结构的制备方法专利，提高半导体结构的性能

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2024-12-20 08:01:11

金融界2024年12月19日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构的制备方法”的专利，公开号CN 119136533 A，申请日期为2023年6月。

专利摘要显示，本公开实施例涉及一种半导体结构的制备方法，包括：提供基底，基底上形成有叠层结构，叠层结构包括交替叠置的牺牲层和支撑层；于叠层结构中形成通孔，通孔贯穿叠层结构，牺牲层包括凸出部，凸出部在基底上的正投影与通孔的开口在基底上的正投影部分重合；向凸出部注入掺杂元素，掺杂元素用于改变凸出部的刻蚀速率；刻蚀去除掺杂后的凸出部。向凸出部注入可以改变凸出部刻蚀速率的掺杂元素后，可以去除掺杂后的凸出部，减小通孔顶部的特征尺寸和底部的特征尺寸之间的差值，得到具有垂直侧壁的通孔，通孔的底部能够暴露出通孔下方的底部结构，提高半导体结构的性能。

来源：金融界

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