上海邦芯半导体科技申请刻蚀方法专利，减少占地面积提升效率_资讯

上海邦芯半导体科技申请刻蚀方法专利，减少占地面积提升效率

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2024-12-22 14:00:59

金融界2024年12月21日消息，国家知识产权局信息显示，上海邦芯半导体科技有限公司申请一项名为“刻蚀方法”的专利，公开号 CN 119153327 A，申请日期为 2024 年 11 月。

专利摘要显示，本发明属于刻蚀技术领域，公开了一种刻蚀方法，刻蚀装置包括反应腔体、晶圆载盘、流体供应件以及加热组件，其中晶圆载盘设置于反应腔体内，晶圆载盘内设置有循环流道，晶圆载盘设置有与循环流道连通的进液口与出液口；流体供应件连接进液口与出液口；加热组件连接于进液口与流体供应件之间，加热组件被配置为提升进入循环流道内的流体的温度；刻蚀方法利用上述刻蚀设备，在一个反应腔体内的同一个晶圆载盘上进行刻蚀，以低温流体进入到晶圆载盘，产生铵盐的副产品；随后通过加热组件使温度升高，铵盐副产物挥发，从而无需配备两个反应腔体，使铵盐副产物的产出与挥发均在一个反应腔体内完成，减少占地面积，提升效率。

来源：金融界

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