金融界2025年1月31日消息，国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法、存储系统”的专利，公开号 CN 119383956 A，申请日期为 2023 年 7 月。

专利摘要显示，本申请提供一种半导体器件及其制造方法、存储系统，方法包括：于半导体层中形成沿第一方向和第二方向延伸的多条沟道线，第一方向与第二方向相交；于半导体层中形成沿第一方向延伸且沿第二方向排布的多个第一凹槽和多个第二凹槽，多个第一凹槽和多个第二凹槽与多条沟道线相交，形成多个沟道结构，第一凹槽沿第二方向的尺寸小于第二凹槽沿第二方向的尺寸；以及于多个第一凹槽和多个第二凹槽中形成导电层，去除部分导电层，多个第一凹槽中剩余的导电层分别形成多个导电屏蔽结构，且多个第二凹槽中剩余的导电层分别形成多条栅极线。该方法能简化半导体器件的制造工艺。

天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6471073.69万人民币，实缴资本6471073.69万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1391次，知识产权方面有商标信息947条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1003个。

来源：金融界