在半导体行业蓬勃发展，5G、物联网、人工智能等技术驱动芯片性能需求攀升的当下，先进键合技术成为产业关键。

近日，青禾晶元在混合键合与C2W技术上取得突破。其青禾晶元新厂房键合设备二期扩产线及总部办公建设项目已正式开工，项目建成投产后，预计年产先进半导体设备约100台套，年产值近15亿。

source: 青禾晶元官网

青禾晶元混合键合技术和C2W技术突破

混合键合技术，作为先进键合领域的一项创新，其基本原理是通过将不同材料或不同工艺的芯片进行高精度、高可靠性的键合，实现芯片间的高效互联。

这项技术不仅提高了芯片的集成度，还显著增强了芯片的热性能和电性能。在人工智能、物联网等新兴领域，混合键合技术凭借其独特的优势，正逐渐成为提升设备性能、降低功耗的关键技术。

据悉，青禾晶元作为这一领域的先行者，其混合键合技术已经达到了行业领先水平。其成功攻克了高精度快速对准、键合偏移精密控制、晶圆变形智能补偿、高效率表面活化等关键技术。这些技术突破不仅提升了产品的性能，还为客户提供了更加可靠、高效的芯片解决方案。

C2W（芯片到晶圆）键合相比W2W（晶圆到晶圆）具有更高的灵活性，可单独测试筛选优质芯片再键合，降低整体缺陷率；支持异构集成（不同工艺节点/尺寸芯片组合），减少材料浪费，降低成本、提升效益。

据悉，青禾晶元自主研发的12英寸C2W晶圆键合机对准精度达到±50nm，键合后精度优于100nm，创新的从下往上键合方式可以避免芯片翻转过程中的键合面污染、降低颗粒增加值。相比于传统的C2W键合技术，新技术提高了键合良率，进一步证明了公司在先进键合技术领域的实力。

值得注意的是，在2024年4月11日，青禾晶元成功制备了8英寸碳化硅键合衬底，而在2024年12月10日，青禾晶元与合作伙伴基于6英寸Emerald-SiC复合衬底，成功研发出高性能且低成本的1200V SiC MOSFET。这些进展不仅提升了产品性能，还为客户提供了更加可靠、高效的芯片解决方案。

青禾晶元新厂房开工，助力产业升级

近日，青禾晶元新厂房开工仪式刚刚举行。

据官方报道，此次开工的项目是键合设备二期扩产线及总部办公建设项目，规划总面积达17000平米。项目建成投产后，预计年产先进半导体设备约100台套，年产值近15亿。

source: 青禾晶元官网

新厂房的建成，将极大地扩大青禾晶元的产能，提升研发能力。新厂房可满足W2W混合键合、C2W混合键合及高精度倒装芯片键合、超高真空常温晶圆键合、热压阳极晶圆键合等多型号设备的连续生产，满足市场对高端键合装备的需求。同时，新厂房还将引入智能化管理系统，进一步提高生产效率和产品质量。

在更早的2024年4月11日，青禾晶元通过技术创新，成功制备了8英寸碳化硅键合衬底。而在2024年12月10日，青禾晶元与中科院微电子所高频高压中心及南京电子器件研究所深度合作，共同基于6英寸Emerald-SiC复合衬底，成功研发出高性能且低成本的1200V SiC MOSFET。

文：集邦化合物半导体整理