2月14日，英飞凌宣布成功推出首批采用8英寸晶圆工艺制造的碳化硅（SiC）产品。据悉，这些产品将在奥地利菲拉赫制造，为包括可再生能源、火车和电动汽车在内的高压应用提供一流的碳化硅功率技术。

source: 英飞凌官网

这一举措标志着英飞凌在碳化硅技术应用上迈出了重要一步，有望进一步提升相关领域的能源效率和性能表现。尤其在电动汽车领域，英飞凌不断拓展合作版图。

英飞凌在生产布局上也有着重大进展，其位于马来西亚居林的制造基地正顺利从150毫米晶圆向200毫米直径晶圆转换，其新建Module 3 厂房已准备好根据市场需求开始大规模生产。

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2022年2月，英飞凌宣布斥资逾20亿欧元在居林工厂建造第三厂区（Module3厂），目前该厂已正式落成并开始运作，预计2025年开始量产。初期碳化硅生产以6寸晶圆为主，计划在2027年全面转向8寸晶圆生产。英飞凌表示已获得约50亿欧元的新设计订单以及来自现有和新客户的10亿欧元左右的预付款，用于厂房的持续扩建，部分设计订单来自6家汽车OEM厂商。

此外，英飞凌还在新闻稿中表示，居林工厂与菲拉赫生产基地协同发展，英飞凌位于马来西亚居林的第三厂区与位于奥地利菲拉赫的生产基地紧密相连，形成了一个专注于宽带隙（WBG）技术的“虚拟协同工厂”。这个虚拟工厂可以共享技术和工艺，实现快速量产和平稳高效地运营。

这种协同有助于产能的提升。据悉，英飞凌已于2023年提高了菲拉赫工厂在碳化硅和氮化镓功率半导体方面的产能。这种紧密结合的两座生产基地，实际上形成了一个专注于宽禁带技术的“虚拟协同工厂”，可以共享技术和工艺。

英飞凌预计，通过在菲拉赫与居林工厂的200毫米SiC改造，有望使SiC的年营收达到约70亿欧元。英飞凌的目标是在2030年之前占据全球30% SiC市场份额。

早在技术研发方面，2024 年 5 月，英飞凌就推出了新一代400V碳化硅MOSFET系列，这是第二代（G2）CoolSiC™技术的升级版。与市场现有的650V SiC和Si MOSFET相比，具有超低的传导和开关损耗。作为AI服务器电源装置的AC/DC级，采用多级PFC，功率密度达到 100W/in³以上，效率高达99.5%，与采用650V SiC MOSFET的解决方案相比，提高了0.3个百分点。这一技术突破为数据中心等领域的能源高效利用提供了有力支持。

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值得注意的是，2025年1月29日，据Power Electronics World报道，国际汽车供应商Forvia Hella已选择英飞凌1200V汽车级SiC MOSFET作为其下一代800V DC/DC充电解决方案。英飞凌的CoolSiCMOSFET采用Q - DPAK封装，专为800V汽车架构中的车载充电器和DCDC应用而设计，此次合作将助力Forvia Hella打造更高效的充电解决方案，也进一步巩固了英飞凌在汽车碳化硅应用市场的地位。

文：集邦化合物半导体竹子整理