卓越散热性能，英诺赛科BMS方案可大幅提升系统可靠性
前言
BMS 俗称电池保姆或电池管家，主要是为了智能化管理及维护各个电池单元，防止电池出现过充电和过放电，保障电池安全使用的同时延长使用寿命。
当前市面上出现的电池管理系统大多数采用 Si MOS，由于 Si MOSFET 具有寄生二极管，必须成对使用，才能进行充电电流、放电电流的控制。这种设计使得电池管理系统能够更加精确地监测和管理电池的状态，从而提供更稳定和可靠的性能。
BMS的主要功能包括实时监测电池的电压、电流和温度等参数，并根据设定的保护阈值进行控制。当电池电压超过设定的最大值时，BMS会切断充电电流，以防止过充电；而当电池电压低于设定的最小值时，BMS会切断放电电流，以防止过放电。此外，BMS还可以根据电池的温度变化来调整充放电速率，以确保电池在适宜的温度范围内工作。
充电头网了解到，针对 BMS 应用领域，英诺赛科开发了 48V/120A BMS 评估板（INNDBMS120LS1），采用新品 100V 双向导通芯片 VGaN 实现充放电控制与保护，从而大幅减少 PCB 占板面积，降低系统成本。
英诺赛科 BMS 方案优势
英诺赛科的BMS方案拥有诸多优势。其面积仅为65mm*180mm，比传统的Si MOS方案减少了40%的PCB占板面积和降低了PCB成本。这不仅提高了效率，还有助于降低成本。
英诺赛科在设计中充分考虑了VGaN封装特点，通过优化PCB布局，实现了卓越的散热性能，大大提高了系统的可靠性。同时，其VGaN（INV100FQ030A）还具备双向导通功能，能够以一颗VGaN替代两颗Si MOS，从而显著降低了开发成本。这些特性使英诺赛科的BMS方案成为一种高效、经济且多功能的选择，适用于各种应用场景。
BMS 系统框图
该方案支持使用当前主流的低边AFE进行充电和放电控制，并且通过专门设计的逻辑转换电路与现有Si方案的CHG/DSG控制逻辑完美兼容，为系统集成提供了更大的灵活性。
VGaN INV100FQ030A
VGaN INV100FQ030A是实现BMS系统功能的关键，这是英诺赛科自研的新型功率器件，采用 4mmx6mm FCQFN 封装，支持双向导通，双向截止，导通电阻仅为 100V/3.2mΩ，同时具备无反向恢复、超低栅极电荷等特性。
在 BMS 应用中，当系统需要正常充电或者正常放电时，通过在 Gate-D1 或者 Gate-D2 之间施加 5V 驱动电压，可以将 VGaN 完全打开，实现系统充电或者放电；当系统需要充电保护或者放电保护时，VGaN 的 Gate 信号可以被主动连接到D1或D2，实现系统充电关断或者放电关断，同时利用 VGaN 的“体二极管”特性，电路可以实现充电保护后放电，或者放电保护后充电；因而可以实现一颗 VGaN 替换一对 CHG、DSG MOS 的功能。
在同等 100A 负载电流情况下， Si MOS 串并联的 BMS 方案需要20颗器件实现，而采用 VGaN 的 BMS 方案 INNDBMS120LS1 仅需8颗即可满足 100A温升需求，器件数量减少了一半以上，在热性能上优势显著。
充电头网总结
英诺赛科的BMS方案具有紧凑的尺寸、出色的散热性能。该方案减少了PCB成本，大大提高了系统效率和可靠性，并显著降低了开发成本。而作为BMS系统功能的关键器件VGaN INV100FQ030A具备双向导通功能，能够以一颗VGaN替代两颗Si MOS，在同等负载的情况下器件减少一半以上，热性能优势显著。