消息称SK海力士将独家供应英伟达12层HBM3E芯片
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2025-03-19 02:41:40
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3月18日消息,据台媒digitimes今日消息,SK海力士预计将独家供应英伟达Blackwell Ultra架构芯片第五代12层HBM3E,预期与三星电子、美光的差距将进一步拉大。

SK海力士于去年9月全球率先开始量产12层HBM3E芯片,实现了最大36GB容量。12层HBM3E的运行速度可达9.6Gbps,在搭载四个 HBM 的 GPU 上运行‘Llama 3 70B’大语言模型时每秒可读取 35 次 700 亿个整体参数的水平。

IT之家注意到,去年11月,SK集团会长崔泰源表示,英伟达CEO黄仁勋要求SK海力士提前六个月供应被称为HBM4的下一代高带宽内存芯片。

SK海力士计划在2025年下半年推出采用12层DRAM堆叠的首批HBM4产品,而16层堆叠HBM稍晚于2026年推出。

彭博社知情人士今年2月透露,三星电子公司已获得批准向英伟达供应其高带宽存储芯片8层HBM3E。虽然该批准标志着三星向前迈进了一步,但它在高带宽内存(HBM)技术方面仍然落后于SK海力士和美光科技等竞争对手。

而美光方面,美光执行副总裁兼首席财务官 Mark Murphy 今年 2 月透露,该公司的 12 层堆叠 HBM 内存产品(12Hi HBM3E)即将放量。

【来源:IT之家】

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