原标题：长江存储下代存储架构曝光 或进一步提升速度密度

长江存储此前已经发布了基于晶栈3.0（Xtacking 3.0）架构的第四代3D TLC NAND闪存芯片，名为X3-9070，随后在去年到今年在国内市场大量上市。之后长江存储又扩大了新架构的应用范围，推出了128层3D TLC NAND闪存和232层3D QLC NAND闪存产品，这些芯片成本和制造难度更低，在闪存领域已然占据一席之地。而据最新爆料表明，长存目前已经开始准备下一代闪存架构及产品。

据TomsHardware消息，有文件显示长江存储正在准备下一代晶栈4.0（Xtacking 4.0）架构，目前至少将会推出两款产品，分别为232层3D TLC NAND闪存X4-9070以及128层3D TLC NAND闪存X4-9060，两款产品预计在速度和密度上得到进一步提升。此外，晶栈4.0架构有望解决现有晶栈3.0架构技术上的局限性，包括增加平面的数量以提高并行性，优化位线/字线以改善延迟。此外，也不排除长江存储利用新架构进一步降低生产难度，提升产能。

晶栈Xtacking架构可实现在两片独立的晶圆上加工外围电路和存储单元，这样有利于选择更先进的逻辑工艺，从而让NAND获取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。当两片晶圆各自完工后，创新的晶栈Xtacking技术只需一个处理步骤即可通过数十亿根垂直互联通道(VIA)将两片晶圆键合，合二为一。晶栈架构已经历了1.0到3.0的迭代发展，并基于相关技术提供了SATA III、PCIe 3.0和PCIe 4.0 SSD，还带来了用于移动通信和其他嵌入式应用的eMMC和UFS等存储产品。