三星申请半导体器件专利，将实现在衬底上形成位线结构_资讯

三星申请半导体器件专利，将实现在衬底上形成位线结构

金融界

2023-11-30 20:49:45

金融界2023年11月30日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体器件及其制造方法“，公开号CN117135914A，申请日期为2023年4月。

专利摘要显示，半导体器件包括在衬底上的位线结构。每个位线结构沿第二方向延伸，并且位线结构在第一方向上彼此间隔开。半导体器件还包括在位线结构中的每一个上在第二方向上彼此间隔开的半导体图案、半导体图案中的在第一方向上相邻的半导体图案之间的层间绝缘图案、以及在位线结构上在第二方向上彼此间隔开的字线。每条字线邻近半导体图案沿第一方向延伸。半导体器件还包括分别设置在半导体图案上并电连接到半导体图案的电容器。沿第二方向延伸的接缝形成在层间绝缘图案中的每一个中。

来源：金融界

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