三星申请半导体装置专利，专利技术能达到的效果_资讯

三星申请半导体装置专利，专利技术能达到的效果

金融界

2023-11-30 22:08:59

金融界2023年11月30日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体装置“，公开号CN117135931A，申请日期为2023年5月。

专利摘要显示，一种半导体装置包括源极结构、在源极结构上的多个栅电极。多个栅电极在第一方向上堆叠并彼此间隔开并且在垂直于第一方向的第二方向上延伸，并且沟道孔中的沟道结构穿过多个栅电极并在第一方向上延伸，该沟道结构包括沟道孔的侧壁上的第一介电层、与沟道孔的侧壁相对地在第一介电层上的第二介电层、与沟道孔的侧壁相对地在第二介电层上的沟道层以及与沟道孔的侧壁相对地在沟道层上的填充绝缘层，并且沟道结构还包括在包括沟道孔的上端的区域中的沟道焊盘层，其中，第二介电层包括铁电材料，并且其中，沟道焊盘层与第一介电层的内侧表面接触并且覆盖第二介电层的上表面、沟道层的上表面和填充绝缘层的上表面。

来源：金融界

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