原标题：长鑫存储取得半导体晶体管专利，改善了晶体管的稳定性和可靠性

金融界2023年12月1日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“一种半导体晶体管的制备方法和结构”的专利，授权公告号CN108074866B，申请日期为2017年11月。

专利摘要显示，本发明教示一种半导体晶体管的制备方法和结构，包括，半导体衬底；栅极结构，位于半导体衬底的上表面，包括栅极导电层及位于栅极导电层上的栅极绝缘层；栅绝缘侧壁，位于栅极结构的侧壁；栓导电结构，位于栅极结构的两侧，各栓导电结构之间通过空气绝缘结构或绝缘层进行电学隔离；空气侧壁，位于栓导电层及所述栅绝缘侧壁之间，空气侧壁包括空气间隙和绝缘封口层，空气间隙通过所述绝缘封口层密封。与现有技术相比，空气间隙和空气间隔室的引入不仅降低了栅极和栓导电结构之间的寄生电容，而且降低了栓导电结构和栓导电结构之间的寄生电容，改善了晶体管的稳定性和可靠性，为晶体管尺寸的进一步缩小提供了一种有效的途径。

来源：金融界