三星申请半导体器件专利，提高了器件的电性能_资讯

三星申请半导体器件专利，提高了器件的电性能

金融界

2023-12-02 19:25:44

金融界2023年12月2日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体器件”，公开号CN117153881A，申请日期为2023年5月。

专利摘要显示，一种半导体器件包括：衬底，衬底包括在第一方向上延伸的有源区域；栅极结构，栅极结构在衬底上与有源区域交叉，并且在第二方向上延伸；多个沟道层，在有源区域上，多个沟道层在与衬底的上表面垂直的第三方向上彼此间隔开，并且被栅极结构围绕；以及源极/漏极区域，源极/漏极区域在与栅极结构相邻的两侧位于有源区域的凹陷区域中，并且电连接到多个沟道层。多个沟道层中的每一个沟道层包括在第三方向上依次叠置的第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层，第一半导体层和第三半导体层包括硅(Si)，并且第二半导体层包括硅锗(SiGe)。第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层的在第二方向上的侧表面与栅极结构接触。这种结构设计有助于提高器件的电性能。

来源：金融界

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