金融界2023年12月5日消息,据国家知识产权局公告,台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“用于多栅极器件的栅极轮廓调整“,公开号CN117174587A,申请日期为2023年3月。
专利摘要显示,本公开涉及用于多栅极器件的栅极轮廓调整。本文公开了栅极轮廓调整技术。示例性栅极轮廓调整方法包括在沟道层之上形成栅极结构。栅极结构包括虚设栅极和沿着虚设栅极的侧壁设置的栅极间隔件。该方法还包括部分地去除虚设栅极以形成限定栅极轮廓的栅极开口。然后通过处理栅极间隔件的部分(例如,通过氧等离子体处理)并去除栅极间隔件的经处理部分(例如,通过氧去除)来修改栅极轮廓。在去除虚设栅极的剩余部分以暴露沟道层之后,在栅极开口中形成栅极结构的栅极堆叠。栅极堆叠可以具有漏斗形轮廓。在一些实施例中,栅极堆叠在沟道层上方的宽度大于栅极堆叠在沟道层下方的宽度。
来源:金融界