原标题：赛微电子：公司TSV（硅通孔）制造工艺技术具有良好的应用前景

金融界12月12日消息，有投资者在互动平台向赛微电子提问：董秘好，公司业界领先的 TSV 绝缘层工艺和制造平台，已研发出包括深反应离子刻蚀等在内的 100 余项 MEMS 核心国际专利，相关专利技术可以推广移植至 2.5D 和 3D 晶圆级先进集成封装平台，请问该技术与工艺能否用于高带宽存储器（HBM）制造与封装？有无该技术生产的产品出货？该技术与某司最近申请半导体封装”专利（公布号为CN116982152A）有无联系或相通性？请董秘再谈谈该技术前景谢谢

公司回答表示：您好，公司是全球领先的MEMS芯片制造商，长期专注于MEMS工艺开发及晶圆制造业务，具备优越的技术水平和工艺开发能力，拥有超过10年的面向全球的量产经验以及不断拓展的规模量产能力，公司是MEMS-Foundry业界最早成功开发适于规模化量产的成套TSV（硅通孔）制造工艺技术的公司，TSV（硅通孔）技术同时是实现三维系统集成封装所必须的首要工艺，该项技术拥有良好的应用前景。谢谢关注！

来源:金融界AI电报