长鑫存储申请半导体存储器专利，提高读取数据的准确性_资讯

长鑫存储申请半导体存储器专利，提高读取数据的准确性

金融界

2023-12-22 19:14:30

金融界2023年12月22日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体存储器“，公开号CN117275537A，申请日期为2022年6月。

专利摘要显示，本公开提供一种半导体存储器，包括多个存储块，每个存储块中包括多个感应放大器，每个存储块中包括体偏置发生模块，每个感应放大器中包括体偏置模块。体偏置发生模块耦合多个体偏置模块，用于向多个体偏置模块中的目标体偏置模块发送第一控制信号，目标体偏置模块耦合目标感应放大器中的P型晶体管的体端，用于在第一控制信号的作用下调节目标感应放大器中的P型晶体管的体端电压，以补偿目标感应放大器中的N型晶体管的阈值电压的失配，从而能够减小半导体存储器中一个或多个感应放大器中器件之间的失配，使得各个感应放大器能够有效放大对应的位线和互补位线之间的电压差，提高读取数据的准确性。

来源：金融界

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