台积电申请半导体器件专利，实现半导体器件的优化结构和形成方法_资讯

台积电申请半导体器件专利，实现半导体器件的优化结构和形成方法

金融界

2024-01-01 09:37:29

金融界2023年12月30日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“半导体器件、半导体器件结构及其形成方法“，公开号CN117316935A，申请日期为2023年9月。

专利摘要显示，根据本公开的实施例，一种半导体器件包括包含第一接合层的第一管芯和包括第二混合接合层的第二管芯。第一接合层包括第一介电层和嵌入第一介电层的第一金属线圈。第二接合层包括第二介电层和嵌入第二介电层的第二金属线圈。第二混合接合层接合至第一混合接合层，使得第一介电层接合至第二介电层，并且第一金属线圈接合至第二金属线圈。本公开的实施例还提供了一种半导体器件结构和一种形成半导体器件的方法。

来源：金融界

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