清华大学申请高频磁场扰动专利，可抑制逃逸电子_资讯

清华大学申请高频磁场扰动专利，可抑制逃逸电子

金融界

2024-01-12 10:50:14

金融界2024年1月10日消息，据国家知识产权局公告，清华大学申请一项名为“一种通过高频磁场扰动抑制逃逸电子的装置和方法”，公开号CN117373701A，申请日期为2023年9月。

专利摘要显示，本发明提供一种通过高频磁场扰动抑制逃逸电子的装置和方法，装置包括：高频磁探针阵列、自动反馈控制器、多个高频磁扰动激励天线以及与多个高频磁扰动激励天线一对一连接的多个射频功率源。本发明首先利用布置在等离子体环附近高频磁探针阵列测量等离子体环的环向磁场扰动和极向磁场扰动；然后利用自动反馈控制器分析环向磁场扰动和极向磁场扰动确定等离子体环中逃逸电子激发的阿尔芬扰动的频率和空间结构；最后利用均匀布置在等离子体环附近的多个高频磁扰动激励天线以及与多个高频磁扰动激励天线一对一连接的多个射频功率源来向等离子体激励幅度足够强、频率和空间结构与阿尔芬扰动完全一致的电磁波，进而达到抑制逃逸电子的作用。

来源：金融界

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