中芯集成-U申请半导体器件制备方法专利，提升良品率_资讯

中芯集成-U申请半导体器件制备方法专利，提升良品率

金融界

2024-01-17 11:05:26

金融界2024年1月17日消息，据国家知识产权局公告，绍兴中芯集成电路制造股份有限公司申请一项名为“一种半导体器件的制备方法及半导体器件“，公开号CN117410178A，申请日期为2023年11月。

专利摘要显示，本申请涉及一种半导体器件的制备方法及半导体器件，所述方法包括：提供衬底，其中所述衬底的第一表面上形成有栅极；在所述衬底的第一表面上形成覆盖所述栅极的钝化层和图案化的第一保护层；在所述衬底的第二表面内形成集电极；以所述图案化的第一保护层为掩膜蚀刻去除露出的部分所述钝化层以露出部分所述栅极。本申请在制备器件时，会通过钝化层对第一表面进行保护，在对第二表面进行加工形成集电极的过程中避免由于与设备而出现划伤或者沾污，从而提升良品率。

来源：金融界

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