三星申请半导体器件专利，该专利技术能实现更高效的数据存储_资讯

三星申请半导体器件专利，该专利技术能实现更高效的数据存储

金融界

2024-02-03 03:00:10

金融界2024年2月2日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统“，公开号CN117497560A，申请日期为2023年7月。

专利摘要显示，一种半导体器件，可以包括：第一半导体结构，包括下衬底；以及第二半导体结构，在第一半导体结构上，并通过接合结构接合到第一半导体结构。第二半导体结构可以包括：图案结构；上绝缘层，在图案结构上；堆叠结构，包括在第一半导体结构和图案结构之间交替地堆叠的栅电极层和层间绝缘层；沟道结构，延伸穿过堆叠结构；分离结构，延伸穿过堆叠结构，并分离堆叠结构。每个分离结构可以包括第一部分和第二部分，第一部分延伸穿过堆叠结构，第二部分从第一部分延伸并延伸穿过图案结构，并且第二半导体结构还可以包括间隔物层，该间隔物层将每个分离结构的第二部分与图案结构分离。

来源：金融界

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