三星取得半导体器件及其制造方法专利，提高半导体器件的性能_资讯

三星取得半导体器件及其制造方法专利，提高半导体器件的性能

金融界

2024-02-12 20:59:05

金融界2024年2月8日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“包括鳍型场效应晶体管的半导体器件及其制造方法“，授权公告号CN110299358B，申请日期为2019年1月。

专利摘要显示，一种半导体器件和制造半导体器件的方法，该器件包括：从衬底突出的有源图案；多个栅极结构，每个栅极结构包括栅电极并交叉有源图案；以及在所述多个栅极结构之间的源极/漏极区域，其中源极/漏极区域包括与有源图案中的凹陷区域的底表面接触的高浓度掺杂层、与高浓度掺杂层的上表面和凹陷区域的侧壁接触的第一外延层、以及在第一外延层上的第二外延层，并且高浓度掺杂层具有与凹陷区域的底表面接触的第一区域以及与凹陷区域的侧壁接触的第二区域，第一区域比第二区域宽。

来源：金融界

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