三星取得半导体存储器件专利，其技术能提供一种半导体存储器件_资讯

三星取得半导体存储器件专利，其技术能提供一种半导体存储器件

金融界

2024-02-14 02:14:42

金融界2024年2月10日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“半导体存储器件“的专利，授权公告号CN108987405B，申请日期为2018年3月。

专利摘要显示，可以提供一种半导体存储器件，其包括：基板，包括第一块和第二块，第一块和第二块每个具有单元阵列区域和连接区域；堆叠，包括绝缘层和栅电极并从单元阵列区域延伸到连接区域；第一单元沟道结构，在第一块的单元阵列区域中并穿过该堆叠以电连接到基板；第一虚设沟道结构，在第一块的连接区域中并穿过该堆叠；第二单元沟道结构，在第二块的单元阵列区域中并穿过该堆叠；以及第二虚设沟道结构，在第二块的连接区域中并穿过该堆叠。第一虚设沟道结构与基板电绝缘，而第二虚设沟道结构电连接到基板。

来源：金融界

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