华为公司申请磁性存储装置及其制备方法专利，降低写电流与功耗_资讯

华为公司申请磁性存储装置及其制备方法专利，降低写电流与功耗

金融界

2024-02-19 15:31:04

金融界2024年2月19日消息，据国家知识产权局公告，华为技术有限公司申请一项名为“一种磁性存储装置及其制备方法“，公开号CN117561813A，申请日期为2021年9月。

专利摘要显示，本申请实施例提供一种磁性存储装置及其制备方法，该方法包括：在衬底上形成多个底电极和多个绝缘体，其中多个底电极中相邻的底电极通过多个绝缘体中的相应绝缘体互相绝缘，在多个底电极和多个绝缘体上形成极化层膜，在极化层膜上形成磁性隧道结层，在磁性隧道结层上覆盖绝缘体位置形成构造体掩模图案，通过使用构造体掩模图案作为蚀刻掩模执行蚀刻工艺以蚀刻极化层膜和所述磁性隧道结层，形成连接相邻的两个底电极的构造体，构造体包括极化层和磁性隧道结。采用本申请实施例，在蚀刻形成磁性隧道结时无须准确停留至极化层上方，减少了工艺难度。也无须控制极化层的厚度要足够厚，则极化层的厚度可以减小，从而降低写电流与功耗。

来源：金融界

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