天岳先进展现国际影响力：导电型碳化硅衬底市占率全球第二
上证报中国证券网讯 2月18日，日本权威行业调研机构富士经济公布了《2024年版新一代功率器件&相关市场现状和展望》报告，围绕世界SiC/GaN的最新动向以及材料供不应求角度展开了分析和预测。据报告测算，2023年全球导电型碳化硅衬底材料市场占有率前三的公司有1家来自中国，天岳先进（SICC）超过高意(Coherent)跃居全球第二。另外近日，国际权威指数机构MSCI公司宣布了其2024年度2月份的季度指数评审结果，将天岳先进调入MSCI中国A股在岸指数成份股。天岳先进正在国际市场展现更大的影响力。
富士经济《2024年版新一代功率器件&相关市场现状和展望》报告指出，天岳先进先后和英飞凌和博世签订了长期供应协议，2023年和英飞凌签订了新的供应协议。
天岳先进长期专注SiC衬底积累的技术实力，在产能和客户端已形成了先发优势。继半绝缘型碳化硅衬底市占率连续4年位居全球前三以来，导电型衬底市占率提升至世界第二，也得益于公司在这一领域长期的技术积累。另外2023年5月天岳先进上海工厂启用，也为客户的长期订单交付提供了有利保障，目前上海工厂仍处于产能提升阶段。
在产品方面，公司董事长宗艳民表示，天岳先进在车规级衬底获得国际客户青睐，已经处于领先地位，公司的目标是致力于成为国际著名的半导体材料公司。公司在8英寸产品上也已经在加速布局。公司用液相法制备的无宏观缺陷的8英寸衬底是业内首创。
公司大规模投入的底气来自于第三代半导体行业的蓬勃发展。第三代半导体材料碳化硅产业是近年来国际市场颇为关注的成长性新兴领域，被誉为未来功率半导体行业的明珠。在电动汽车、电力设备以及能源领域驱动下，SiC功率器件市场蓬勃发展。该报告进一步指出，2030年SiC功率器件市场规模将达到近150亿美元，占到整体功率器件市场约24%，2035年则有望超过200亿美元，届时SiC器件市场规模将占到整体功率器件的40%以上。（朱剑平）