三星申请半导体器件专利，实现栅结构彼此隔离_资讯

三星申请半导体器件专利，实现栅结构彼此隔离

金融界

2024-02-23 20:46:47

金融界2024年2月23日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体器件“，公开号CN117594599A，申请日期为2023年8月。

专利摘要显示，一种半导体器件包括：有源区；栅结构，与有源区相交并且包括栅电极；有源区上在栅结构的至少一侧的源/漏区；以及栅隔离结构，在有源区之间的区域上将彼此相对的栅结构彼此隔离。彼此相对的栅结构包括第一栅结构、与第一栅结构相对的第二栅结构、与第一栅结构平行地延伸的第三栅结构、以及与第三栅结构相对且与第二栅结构平行地延伸的第四栅结构。栅隔离结构包括：线型的第一隔离结构，沿第一水平方向延伸；以及孔型的第二隔离结构，在第一栅结构和第二栅结构之间以及第三栅结构和第四栅结构之间穿透第一隔离结构。

来源：金融界

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