中芯集成-U申请半导体衬底专利，提高半导体器件的性能_资讯

中芯集成-U申请半导体衬底专利，提高半导体器件的性能

金融界

2024-02-26 17:10:24

金融界2024年2月24日消息，据国家知识产权局公告，绍兴中芯集成电路制造股份有限公司申请一项名为“一种半导体衬底及其制备方法、半导体器件“，公开号CN117594607A，申请日期为2023年11月。

专利摘要显示，本申请涉及一种半导体衬底及其制备方法、半导体器件，所述衬底包括体硅区域和位于所述体硅区域外侧的绝缘体上硅区域，所述绝缘体上硅区域包括底层硅和顶层硅，以及设置在底层硅和顶层硅之间的绝缘层；其中，所述体硅区域用于制备数字逻辑器件，所述绝缘体上硅区域用于制备射频器件。本申请的半导体衬底将体硅和绝缘体上硅混合在一起，可以分别用于制备数字逻辑器件以及射频器件，提高半导体器件的性能。

来源：金融界

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