2024-02-27 11:00:31 作者:姚立伟
三星电子今日官宣发布其首款容量达36GB的12层堆叠HBM3E DRAM——HBM3E 12H。相比8层堆叠的HBM3 8H,这款产品的带宽和容量均有大幅提升,且采用热压非导电薄膜技术保持了相同高度以满足封装要求。
三星一直努力降低非导电薄膜材料的厚度,并实现芯片之间的间隙最小化至7微米,消除了层与层之间的空隙。这些努力使其HBM3E 12H产品的垂直密度比其HBM3 8H产品提高了20%以上。此外,该产品的热性能也得到改善。
据悉,这款新产品搭载于人工智能应用后,预计平均速度可提升34%,同时推理服务用户数量也可增加超过11.5倍。目前三星已开始向客户供应 HBM3E 12H 样品,并计划于今年下半年开始大规模量产。