营收可达数百万美元，纳微GaN/SiC技术助攻AI数据中心
3月11日，纳微半导体（下文简称“纳微”）公布了其AI数据中心技术路线图，为满足预计在未来12-18月内类似指数级增长的AI功率需求，路线图中的产品功率将提高3倍。
source：纳微
纳微表示，传统CPU一般只需要300W，而数据中心交流/直流电源的功率大小通常等于10个CPU功率总和或3,000W (3kW)。但像NVIDIA的“Grace Hopper”H100这样的高性能AI处理器现在功率要求已达700W，下一代“Blackwell”B100和B200芯片预计将在明年增加到1,000W或更高。
为了满足这种指数级的功率增长，纳微正在开发从3kW迅速提升到10kW的服务器电源平台。2023年8月，纳微科技推出3.2kW数据中心电源平台，采用最新的氮化镓（GaN）技术，功率超过100W/in3，效率超过96.5%。现在，纳微又发布了一个4.5kW平台，该平台由GaN和碳化硅（SiC）相结合，可将密度提高到130W/in3以上，效率超过97%。
这两个平台已经引起了市场的巨大兴趣，有20多个数据中心客户项目正在开发中，预计从今年开始将带来数百万美元的GaN或SiC收入。
同一天，纳微还宣布计划在2024年底前推出8-10kW的电力平台，以支持2025年的AI电力需求。该平台将采用更新GaN和SiC技术，并进一步改进架构，在功率密度、效率和上市时间方面树立全新的行业标准。纳微已经与主要数据中心客户展开合作，预计将于24年第四季度全面推出该平台，在短短12-18个月内满足电力增长3倍的需求。
纳微独特的数据中心设计正在创建这些系统设计，以应对AI数据中心电力需求的急剧增长，并协助客户快速有效地部署平台，以满足人工智能快速发展所带来的加速上市需求。系统设计包括经过全面测试的硬件、原理图、材料清单、布局、仿真和硬件测试结果等完整的设计资料，以最大限度地实现首次正确设计和快速创收。
文：集邦化合物半导体Morty编译