京东方A取得氧化物薄膜晶体管专利，制备成本较低_资讯

京东方A取得氧化物薄膜晶体管专利，制备成本较低

金融界

2024-03-20 19:21:44

金融界2024年3月18日消息，据国家知识产权局公告，京东方科技集团股份有限公司取得一项名为“氧化物薄膜晶体管、阵列基板、制备方法及显示面板“，授权公告号CN113130327B，申请日期为2021年4月。

专利摘要显示，本申请公开了一种氧化物薄膜晶体管、阵列基板、制备方法及显示面板，涉及显示技术领域。该制备方法在依次形成第一绝缘层，第二绝缘层以及金属氧化物结构之后，可以对第一绝缘层进行加热，以使得第一绝缘层中的氢元素扩散至与该第一绝缘层接触的金属氧化物结构中的第一结构和第三结构中，以实现对该第一结构和第三结构的导体化，从而得到金属氧化物图案。本申请提供的制备方法无需设置导体化掩膜板以实现第一结构和第三结构的导体化，所需的掩膜板的数量较少，制备成本较低。

来源：金融界

上一篇：公牛集团工商变更，新增电池制造业务：此前新能源收入破1.5亿元

下一篇：波音“事故名单”越来越长

京东方A取得氧化物薄膜晶体管专利，制备成本较低

相关内容

热门资讯