华为新工艺可造5nm芯片，耶伦访华，给她准备了大惊喜？
文/战海
华为的Mate60手机相信所有人都不会陌生，这款在被美国制裁后，华为公司发布的首款国产芯片手机，一开卖就瞬间成了抢手货，尽管有人测试发现这台手机的CPU性能并不突出，制程也不够先进，无法和其他国产品牌的进口3nm制程的CPU抗衡，仍然没有影响到这款机型的热卖。
（华为的Mate60Pro手机相信大家都不会陌生）
财联社消息，就在不久前，国家专利局公开了一份华为公司的专利技术信息，华为将这个技术轻描淡写说成是“一种四重曝光的半导体装置制造工艺”，但了解半导体制程的不难看出，这很可能是华为破解美国制裁的“杀手锏”。
要解释这个专利有什么用，首先需要解释一下光刻机制造芯片的原理。芯片由石英砂为原料制成的“晶圆”上蚀刻电路而构成。芯片能够获得强大的运算能力，靠的就是芯片内部几百亿个电流通路组成，而说光刻机多少纳米的制程，就是在说这些通路能够被制造得多小。制程数字越小，相同面积能够容纳的通路就越多，芯片性能就越强大。美国限制华为使用3nm、5nm这种高等级光刻机的使用，这就限制了华为的芯片运算能力。而这个“四重曝光”能力，就是对一块晶圆进行多次“曝光",让更大制程7nm、14nm的光刻机多次曝光同一块晶圆，从而达到5nm甚至3nm的效果。
（光刻机对晶圆进行曝光刻画出内部通路）
从理论上看，这并不难完成，但难的是在重复蚀刻的过程中，良品率低，难以大规模商业化量产。这时候重点来了：华为的这个“四重曝光”，可以大大提升重复蚀刻曝光的良品率，让大nm制程的光刻机可以造出更小nm制程的芯片。
（芯片制造的良率对其能否量产化也非常重要）
能看懂上面的讲解，就能知道华为的这个工艺有多重要了，美国不是制裁华为，不让华为拥有3nm、5nm这样高制程的芯片么？华为就自己造给你看。光刻机的制造难度高，短时间突破不了，那就从光刻机的工艺上改进，造出这些3nm、5nm的芯片，打破美国人的封锁。
说句比较现实的话，美国限制中国获得这种高精度光刻机，对民生、军事等领域的芯片使用都没有太大的影响。先说军用层面，武器使用的芯片，对可靠性的要求远远凌驾于性能之上，而且大部分武器根本用不上3nm、5nm这样的芯片制程，绝大多数武器上的芯片，都是几十纳米，甚至微米级别的制程。而民生方面，即使对芯片制程需求量大，但可以将大制程的芯片并联，达到小制程芯片的性能，无非是占用更多空间，能耗更高一些。
（即使是微米级的芯片，也有很多应用场景）
既然如此，为何华为和我国的芯片工作者们，仍然要“死磕”3nm、5nm这种芯片呢？虽然这些芯片最多还是使用在手机等设备上，但随着未来科技的发展，越来越多的设备都在使用小制程芯片。如果中国在芯片制程上落后，在未来也会步步落后。
尤其是如果未来科技发展态势发生巨大变化，武器、民生等需要用到更小制程的芯片，而中国却没有这方面的能力，最终中国会输掉这场科技战争。即使为了这点，华为都必须坚持下去。正是有华为等为了突破美国封锁而不断投入的中国企业的存在，中国才能在美国发起的贸易战、科技封锁中不动如山。
（耶伦去年访华时在机场受到中方热情接待）
美国见封锁不住中国，只能不断派遣高级官员访华。去年美国商务部长雷蒙多访华时就让Mate60手机上了一课，而这次美国财长耶伦即将访华，不知华为会不会给她也准备一个“大惊喜”。