三星申请半导体存储器件专利，提高存储器件的性能_资讯

三星申请半导体存储器件专利，提高存储器件的性能

金融界

2024-03-31 11:33:41

金融界2024年3月29日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体存储器件“，公开号CN117794241A，申请日期为2023年9月。

专利摘要显示，一种半导体存储器件包括：衬底；在衬底上并在第一方向上延伸的位线；在位线上的第一和第二沟道图案，第二沟道图案在第一方向上与第一沟道图案间隔开；第一字线，在第一沟道图案和第二沟道图案之间，并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸；第二字线，在第一沟道图案和第二沟道图案之间，在第二方向上延伸，并且在第一方向上与第一字线间隔开；在沟道图案上并且连接到第一或第二沟道图案的电容器；其中第一沟道图案和第二沟道图案包括依次在位线上的第一金属氧化物图案和第二金属氧化物图案，第一金属氧化物图案和第二金属氧化物图案中的每个包括非晶金属氧化物，并且第一金属氧化物图案的组成不同于第二金属氧化物图案的组成。

来源：金融界

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