8英寸扩军!世纪金芯8英寸碳化硅加工线正式贯通
集邦化合物半导体
2024-04-11 14:17:58

原标题:8英寸扩军!世纪金芯8英寸碳化硅加工线正式贯通

今年2月,合肥世纪金芯半导体有限公司(以下简称世纪金芯)8英寸SiC加工线正式贯通并进入小批量生产阶段,在8英寸SiC衬底量产方向更进一步。

source:世纪金芯

据介绍,世纪金芯采用模拟软件,首先对坩埚、保温层和加热器等组成的热场进行模拟计算,营造符合实际生长过程的温度和温度梯度,并通过多次优化数据库参数,准确反映出温场及余料情况,生长晶体的4H-SiC晶型稳定性在90%以上。

世纪金芯基于6英寸晶体研发生产经验,结合8英寸晶体生长的热场结构设计及工艺特性,在高稳定性长晶炉的基础上,采取了独特的保温设计和先进的热场分区结构,开发出适用于8英寸SiC稳定生长的工艺技术,逐步减少生长温度、时间、气压、功率等参数变化量,获得可重复性稳定参数,大幅提升了长晶的稳定性、重现性,突破了大尺寸、低应力等SiC晶体制备关键技术。

source:世纪金芯

据称,世纪金芯开发的8英寸SiC单晶生长技术可重复生长出4H晶型100%、直径大于200mm、厚度超过10mm的晶体。8英寸加工线也同步建成,将配套8英寸单晶生长,通过进一步优化工艺,预期世纪金芯的8英寸SiC晶锭厚度将达到20mm以上。

据悉,世纪金芯母公司北京世纪金光半导体有限公司(以下简称世纪金光)前身为中原半导体研究所,始建于1970年。世纪金光先后承担科研任务80多项,取得国家专利超百项。目前,世纪金光已完成从SiC功能材料生长、功率元器件和模块制备、行业应用开发和解决方案提供等关键领域的全面布局。

source:世纪金芯

世纪金芯自2019年12月成立以来,致力于第三代半导体SiC功能材料研发与生产,已经解决了高纯SiC粉料提纯技术、6英寸SiC单晶制备等关键技术。

2022年9月,世纪金芯年产3万片6英寸SiC单晶衬底项目正式投产,能在一定程度上缓解国内大直径导电型SiC单晶衬底供应紧缺局面。目前,世纪金芯正在向8英寸转型,其包头年产70万片8英寸SiC衬底片工厂正在建设中,预计2024年底一期项目正式投产。

值得一提的是,2023年12月,世纪金芯与湖南S公司正式签订战略合作协议。根据协议,双方将围绕SiC单晶衬底在业务和技术方面推行战略合作,年合作不低于5万片,交易金额超过2亿元。

文:集邦化合物半导体Zac整理

相关内容

热门资讯

纳思达取得一种显影盒专利,有利... 国家知识产权局信息显示,珠海纳思达信息技术有限公司取得一项名为“一种显影盒”的专利,授权公告号CN2...
腾讯混元突破:熵稳定控制器优化... 这项由腾讯混元实验室的杨凯、徐鑫等研究人员与香港科技大学合作完成的研究成果发表于2025年11月,论...
原创 S... 哈喽,大家好呀,我是瑜瑜。王者荣耀 S42 赛季已经上线一段时间了。在当前的全分段中,有一个数据还是...
在东方明珠盖别墅,「姚先生」庆... 喜迎乔迁。 文/王丹 1月15日晚22点40分,上海东方明珠城市广场已闭园。 我在围栏外往里瞅了眼:...
西安纳谱申请电化学腐蚀装置及其... 国家知识产权局信息显示,西安纳谱科技有限公司申请一项名为“一种电化学腐蚀装置及其方法”的专利,公开号...