三星申请半导体装置专利，提高电子系统性能_资讯

三星申请半导体装置专利，提高电子系统性能

金融界

2024-04-17 17:15:25

金融界2024年4月16日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体装置和包括该半导体装置的电子系统“，公开号CN117896984A，申请日期为2023年6月。

专利摘要显示，公开了半导体装置和包括该半导体装置的电子系统。所述半导体装置包括：第一栅极堆叠结构，包括彼此交替地堆叠的第一介电图案和第一导电图案；存储器沟道结构，包括穿透第一栅极堆叠结构的第一存储器部分；贯通接触件，包括在与第一存储器部分的水平相同的水平处的第一贯通部分；以及连接接触件，包括在与第一存储器部分的水平和第一贯通部分的水平相同的水平处的第一连接部分。第一存储器部分的最小宽度小于第一贯通部分的最小宽度和第一连接部分的最小宽度。

来源：金融界

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