金融界2024年4月23日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“半导体装置“的专利,公开号CN117917773A,申请日期为2023年9月。
专利摘要显示,提供了一种半导体装置,所述半导体装置包括:有源图案,在第一方向上延伸;多个栅极结构,在第一方向上间隔开,并且包括在第二方向上延伸的栅电极;源极/漏极图案,在相邻的栅极结构之间;硅化物掩模图案,在源极/漏极图案上,硅化物掩模图案的上表面低于栅电极的上表面;源极/漏极接触件,在源极/漏极图案上连接到源极/漏极图案;以及接触件硅化物膜,在源极/漏极接触件和源极/漏极图案之间与硅化物掩模图案的底表面接触,其中,从源极/漏极图案的最下面的部分到源极/漏极接触件的最下面的部分的高度小于从源极/漏极图案的最下面的部分到硅化物掩模图案的底表面的高度。
来源:金融界