长鑫存储申请半导体结构及其制备方法专利，提升器件的速度及性能_资讯

长鑫存储申请半导体结构及其制备方法专利，提升器件的速度及性能

金融界

2024-05-02 13:45:23

金融界2024年4月30日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法“，公开号CN117954383A，申请日期为2022年10月。

专利摘要显示，本申请涉及一种半导体结构及其制备方法。所述半导体结构的制备方法包括提供衬底；于衬底上形成多个水平间隔排布的导电层及第一层间介质层；第一层间介质层覆盖导电层，且填满相邻导电层之间的间隙；于第一层间介质层内形成凹槽；凹槽位于相邻导电层之间；至少于凹槽内形成第二层间介质层；第二层间介质层在凹槽底部的沉积速率至少小于在凹槽侧壁上部的沉积速率，以使得位于凹槽内的第二层间介质层内形成有气隙。所述半导体结构的制备方法能够用于减小相邻导电层之间的寄生电容，改善导电层与第二层间介质层之间的RC延迟，进而提升器件的速度及性能。

来源：金融界

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