原标题：二氧化镓表面氢化物和羟基物质的研究

Ga2O3（二氧化镓）表面氢化物和羟基物质的研究，以及它们在不同温度下的反应特性。以下是对这段文字的详细分析：

1. 原位形成的不配位Ga引发的解离：这意味着在二氧化镓的表面，存在一些未与其他原子或分子结合的镓原子（不配位Ga），这些原子可能参与了氢气（H2）的解离过程。
2. 氢化物和羟基物质的存在：通过检测到的H2和红外线光谱，研究人员确认了氢化物（H-）和羟基（OH-）物质在Ga2O3表面的存在。
3. 异质化途径：这可能指的是氢气在Ga2O3表面的非均相催化解离，即在特定的活性位点上发生。
4. 表面氘化物和氘代羟基与气态H2的温度依赖换化学：这里提到了使用氘（D，氢的同位素）标记的化合物来研究氢气与表面化合物的交换反应，并且这种交换反应依赖于温度。
5. Ga-OD和Ga-D的特征吸收峰：在红外光谱中，Ga-OD（镓-氧-氘键）在约2670 cm^-1处有一个吸收峰，而Ga-D（镓-氘键）在约1410 cm^-1处有一个吸收峰。这些峰的位置随温度变化而变化，表明了它们在不同温度下的反应活性。
6. 温度升高至350°C后的反应：当温度升高至350°C时，剩余的Ga-D与H2完全交换形成HD（氘化氢），这表明了高温下氢气与表面化合物的交换反应更为活跃。
7. TKA-MS的定量测量：使用热导分析-质谱联用技术（Thermal Conductivity Analyzer - Mass Spectrometry，简称TKA-MS）来定量测量H2的消耗量，以确定表面氢化物和羟基的浓度。
8. α-Ga2O3与β-Ga2O3的吸附能力差异：研究发现，α-Ga2O3的氢解离吸附能力比β-Ga2O3高20倍。
9. 氢化物与羟基的含量：在α-Ga2O3上，氢化物和羟基的含量分别为1.50和0.27 mmol/g，而氢化物与羟基的比值与化学计量比1有显著偏差。
10. 高覆盖率的GaHx配合物：在α-Ga2O3上，氢化物与表面Ga3+的比率高达1.6，这表明可能形成了高覆盖率的GaHx配合物（x > 1）。
11. 产生额外氢化物的第二个过程：研究者推测在α-Ga2O3上可能存在一个额外的氢化物生成过程，即氢气的均相解离。