三星新Exynos旗舰芯片或采用3nm多信道桥式FET，功耗损耗降低50%_资讯

占地为王数码会

2024-05-08 13:39:21

联发科自从发布天玑9000系列芯片之后，在高端市场俨然有成了的气势。虽然短时间内无法和高通8系芯片旗鼓相当，但是也已经不容小觑。反观之前一直坚持研发高端芯片的三星，Exynos系列芯片屡屡受挫，甚至被自家的手机部门嫌弃，处境相当的尴尬。

不过，近日或将正式亮相的Exynos2500，或将扭转三星在高端芯片市场的劣势。据悉，Exynos2500或采用3nm工艺中的Gate All Around工艺。通过多信道桥式FET，可在不功耗损耗方面对比其它3nm芯片降低50%，同时，还比上代提升30%以上的密度和能效。

如此一来，三星Exynos系列芯片一直被诟病的发热问题，极有可能会出现颠覆性升级，有望追赶高通和联发科。当然，三星每一代芯片在数据上都是极好的，实际表现却多有拉垮。所以，Exynos2500能不能担当大任，还要等商用之后才能找到答案。