近期，浙江省科技厅公布2025年度重大科技成果，杭州镓仁半导体有限公司的氧化镓系列成果入选。

图片来源：镓仁半导体

半导体材料的发展历经数代更迭：从以硅、锗为代表的第一代，到以砷化镓等化合物为代表的第二代，再到以碳化硅、氮化镓为代表的第三代。如今，被誉为“第四代半导体”的氧化镓，凭借其更耐高温、更耐高压、性能更优等特性，成为下一代电力电子器件领域的“理想材料”，备受全球关注。

不过，作为新兴材料，氧化镓仍面临较大技术难题。比如氧化镓在高温熔融状态下性质很不稳定，用主流方法很难让它规规矩矩地结晶。同时，它的结晶过程就像在锻造一件精密瓷器，对“火候”（温度）和环境的要求极高，稍有偏差，晶体就会产生缺陷甚至碎裂，难以得到完整、高质量的单晶。因此，稳定制备大尺寸氧化镓单晶的挑战，曾是其迈向大规模应用的主要瓶颈。

这一背景下，杭州镓仁半导体有限公司聚焦氧化镓单晶制备技术攻关，依托自主研发的“铸造法”，在材料生长上取得重要突破。该方法具备成本低、效率高、工艺简单可控、尺寸易放大等优势。

今年初，杭州镓仁半导体有限公司团队成功发布全球首颗8英寸氧化镓单晶，标志着我国在超宽禁带半导体领域实现“换道超车”。该成果可与现有硅基8英寸产线完全兼容，为氧化镓从实验室走向规模化应用奠定了坚实基础。

（文/集邦化合物半导体整理）

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