国家知识产权局信息显示，成都利普芯微电子有限公司申请一项名为“一种沟槽型SiC MOSFET及其制备方法”的专利，公开号CN121240492A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明提供了一种沟槽型SiC MOSFET及其制备方法，涉及半导体技术领域，该沟槽型SiC MOSFET器件包括自下而上依次设置的漏极金属层、衬底、外延层、P阱区、有源区以及源极金属层；还包括自下而上依次接壤的第一栅氧区、第二栅氧区，第一栅氧区内部设置有多晶硅区，第一栅氧区和第二栅氧区均与P阱区接壤；其中，P阱区与多晶硅区相邻的部分用于产生电子沟道，P阱区与第二栅氧区相邻的部分用于产生无沟道电阻区。该无沟道电阻区在器件开启过程中不会影响器件的正常开启，但是在器件短路时却能够阻止P阱区上所形成的电子沟道继续变大，可降低器件饱和电流，提高短路耐量。

天眼查资料显示，成都利普芯微电子有限公司，成立于2020年，位于成都市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，成都利普芯微电子有限公司专利信息157条，此外企业还拥有行政许可2个。

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