国家知识产权局信息显示，青禾晶元（晋城）半导体材料有限公司申请一项名为“一种复合衬底的制备方法、复合衬底及声表面波滤波器”的专利，公开号CN121308698A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本发明提供了一种复合衬底的制备方法、复合衬底及声表面波滤波器，所述的制备方法包括：提供第一衬底、第二衬底与压电晶圆，对第二衬底进行热氧化处理，在第二衬底的待键合面形成氧化层，随后在第二衬底靠近氧化层的一端进行离子注入处理，由离子注入层隔离形成第一有用层与第一复用层；将第一衬底与第二衬底的氧化层进行一次键合得到第一组合体，随后进行一次裂片处理，使离子注入层开裂，得到第一复用层与中间键合体；将压电晶圆与中间键合体中第一有用层进行二次键合，以在压电晶圆与第一有用层的键合界面形成纳米孔层得到复合衬底。本发明制得复合衬底的界面键合能高，缓解了杂波散射，满足器件小型化的要求。

天眼查资料显示，青禾晶元（晋城）半导体材料有限公司，成立于2021年，位于晋城市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本300万人民币。通过天眼查大数据分析，青禾晶元（晋城）半导体材料有限公司参与招投标项目3次，专利信息58条，此外企业还拥有行政许可6个。

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