罗姆申请半导体装置及制造方法专利，提高半导体装置的可靠性_资讯

罗姆申请半导体装置及制造方法专利，提高半导体装置的可靠性

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2026-01-16 02:20:28

国家知识产权局信息显示，罗姆股份有限公司申请一项名为“半导体装置及半导体装置的制造方法”的专利，公开号CN121336507A，申请日期为2024年5月。

专利摘要显示，一种半导体装置，包含：芯片，其由宽带隙半导体形成，并具有形成了第一导电型的半导体区的主面；第二导电型的基底杂质区，其形成于所述半导体区的表层部；第一杂质区，其形成于所述基底杂质区的表层部；以及第二杂质区，其形成于所述基底杂质区的表层部，且导电型与所述第一杂质区相反，所述第二杂质区在第一方向上与所述第一杂质区相邻，所述第二杂质区形成为在与所述第一方向正交的第二方向上延伸的带状，所述第二杂质区具有：凸部，其在所述第一方向上选择性地向所述第一杂质区突出。

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来源：市场资讯

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