国家知识产权局信息显示，湖南虹安微电子有限责任公司取得一项名为“半导体功率器件”的专利，授权公告号CN223810083U，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本实用新型实施例提供一种半导体功率器件，包括：衬底、外延层、栅电极、栅氧化物层、肖特基金属。外延层包括：阱区，设置在沟槽的一侧；源区，设置在阱区朝向外延层的顶表面一侧；第一屏蔽区，位于源区和阱区远离沟槽的一侧；第二屏蔽区，位于沟槽远离源区和阱区的一侧；第三屏蔽区，位于第二屏蔽区远离源区和阱区的一侧；第一、第二和第三屏蔽区相互间隔设置；外延层还包括位于第二屏蔽区和第三屏蔽区之间的第一子区；肖特基金属设置在外延层的顶表面上且分别与第二、第三屏蔽区和第一子区连接，且与栅电极绝缘设置。本实用新型实施例可以对栅氧化物层起到保护、提高器件可靠性，且可提高反向恢复速度，降低开关损耗。

天眼查资料显示，湖南虹安微电子有限责任公司，成立于2023年，位于长沙市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本2000万人民币。通过天眼查大数据分析，湖南虹安微电子有限责任公司共对外投资了1家企业，专利信息15条，此外企业还拥有行政许可1个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯