2月19日，据外媒报道，三星正就其最新一代人工智能存储芯片的定价进行谈判，计划将其HBM4组件的售价定在约700美元，较HBM3E高出20%至30%。 受消息影响，韩国存储芯片巨头三星电子当日股价再度创下历史新高，盘中一度涨超5%。彭博分析师Masahiro Wakasugi表示，700美元的定价意味着三星HBM4的营业利润率高达50%至60%。 存储厂商夺回定价话语权 盛宝市场首席投资策略师Charu Chanana表示，三星HBM4的量产与定价凸显了该行业的“定价权”。“这表明AI存储芯片市场供应依然紧张，同时三星认为自己在高端芯片市场重新夺回了一定的定价话语权。”她表示。 报道还称，SK海力士预计也将把HBM4的价格定在更高水平。据了解，去年8月，该公司向英伟达供应的HBM4单价约为500美元。“如果三星向英伟达供应更多HBM芯片，2026年三星与SK海力士的平均售价差距将会缩小，因为面向英伟达的芯片定价会高于其他客户。”Masahiro Wakasugi分析称。 有行业人士透露，英伟达去年12月初步分配了今年的HBM供应份额，SK海力士获得55%以上，三星电子占20%多至接近30%，美光科技约20%。面对AI带来的HBM需求井喷，厂商们开启了激进的资本开支计划。SK海力士的资本开支从2024年四季度的7万亿韩元，预计将激增至2025年三季度的12万亿韩元。 据报道，2月14日，英伟达CEO黄仁勋现身英伟达总部附近的一家韩式炸鸡餐厅，花费约两小时为30多名SK海力士和英伟达工程师逐桌调制烧啤、敬酒致意，并特别提及SK海力士承诺供应的第六代HBM4产品。 提前推进生产计划 面对人工智能驱动的内存芯片需求激增，韩国两大存储巨头三星电子与SK海力士正加速推进新建晶圆厂的投产进程，战略重心由此前的谨慎控货转向积极扩产。 据韩媒报道，SK海力士计划将其龙仁一期晶圆厂的试运行时间提前至明年2月至3月，在竣工日期前着手启动。三星电子亦将平泽P4工厂的投产时间从明年一季度提前至今年四季度，生产规划前移约3个月。两家公司均将在新产线重点部署高附加值产品，如高性能DRAM与HBM。 市场人士分析称，两家公司加速扩产的核心驱动力是AI数据中心扩张导致的服务器高性能DRAM需求激增。由于生产线集中生产高附加值的HBM芯片，通用DRAM的产量相对减少，加剧了供应紧张。Omdia数据显示，三星电子的DRAM年产能（以晶圆计）将从2024年的747万片增至今年的817.5万片。SK海力士同期产能将从511.5万片扩大至639万片。随着新工厂提前投产，明年产量有望进一步增长。 摩根大通等主要市场研究机构预测，内存供应短缺将持续至2027年。三星电子和SK海力士在最近的业绩发布会上均表示，将增加今年的资本支出以应对内存短缺。“随着AI相关需求预计持续，我们计划在2026年大幅扩大设备投资规模。但今年和明年设备扩张将受到限制，供应短缺现象可能加剧。”三星电子内存事业部副总裁Kim Jae-june表示。

2月19日，据外媒报道，三星正就其最新一代人工智能存储芯片的定价进行谈判，计划将其HBM4组件的售价定在约700美元，较HBM3E高出20%至30%。

受消息影响，韩国存储芯片巨头三星电子当日股价再度创下历史新高，盘中一度涨超5%。彭博分析师Masahiro Wakasugi表示，700美元的定价意味着三星HBM4的营业利润率高达50%至60%。

存储厂商夺回定价话语权

盛宝市场首席投资策略师Charu Chanana表示，三星HBM4的量产与定价凸显了该行业的“定价权”。“这表明AI存储芯片市场供应依然紧张，同时三星认为自己在高端芯片市场重新夺回了一定的定价话语权。”她表示。

报道还称，SK海力士预计也将把HBM4的价格定在更高水平。据了解，去年8月，该公司向英伟达供应的HBM4单价约为500美元。“如果三星向英伟达供应更多HBM芯片，2026年三星与SK海力士的平均售价差距将会缩小，因为面向英伟达的芯片定价会高于其他客户。”Masahiro Wakasugi分析称。

有行业人士透露，英伟达去年12月初步分配了今年的HBM供应份额，SK海力士获得55%以上，三星电子占20%多至接近30%，美光科技约20%。面对AI带来的HBM需求井喷，厂商们开启了激进的资本开支计划。SK海力士的资本开支从2024年四季度的7万亿韩元，预计将激增至2025年三季度的12万亿韩元。

据报道，2月14日，英伟达CEO黄仁勋现身英伟达总部附近的一家韩式炸鸡餐厅，花费约两小时为30多名SK海力士和英伟达工程师逐桌调制烧啤、敬酒致意，并特别提及SK海力士承诺供应的第六代HBM4产品。

提前推进生产计划

面对人工智能驱动的内存芯片需求激增，韩国两大存储巨头三星电子与SK海力士正加速推进新建晶圆厂的投产进程，战略重心由此前的谨慎控货转向积极扩产。

据韩媒报道，SK海力士计划将其龙仁一期晶圆厂的试运行时间提前至明年2月至3月，在竣工日期前着手启动。三星电子亦将平泽P4工厂的投产时间从明年一季度提前至今年四季度，生产规划前移约3个月。两家公司均将在新产线重点部署高附加值产品，如高性能DRAM与HBM。

市场人士分析称，两家公司加速扩产的核心驱动力是AI数据中心扩张导致的服务器高性能DRAM需求激增。由于生产线集中生产高附加值的HBM芯片，通用DRAM的产量相对减少，加剧了供应紧张。Omdia数据显示，三星电子的DRAM年产能（以晶圆计）将从2024年的747万片增至今年的817.5万片。SK海力士同期产能将从511.5万片扩大至639万片。随着新工厂提前投产，明年产量有望进一步增长。

摩根大通等主要市场研究机构预测，内存供应短缺将持续至2027年。三星电子和SK海力士在最近的业绩发布会上均表示，将增加今年的资本支出以应对内存短缺。“随着AI相关需求预计持续，我们计划在2026年大幅扩大设备投资规模。但今年和明年设备扩张将受到限制，供应短缺现象可能加剧。”三星电子内存事业部副总裁Kim Jae-june表示。