2026年2月22日，国产半导体迎来重大突破：国内厂商成功量产8英寸铌酸锂晶圆，良率突破70%，达到商用标准，华为等企业已内部试用，用于光通信、射频芯片与高速连接模块。该技术可制造光子芯片，完全绕开EUV光刻机限制，为国产半导体开辟换道超车新路径，打破海外技术垄断。

铌酸锂被称为“光学硅”，是光模块、射频器件、6G通信、AI算力中心的核心基础材料。相比传统硅基芯片，铌酸锂依靠光子传输信息，速度更快、功耗更低、抗干扰更强，支持800G/1.6T高速光模块，是AI与6G的关键底座。长期以来，8英寸高性能铌酸锂晶圆被海外垄断，价格高、供货受限。国产量产打破卡脖子，成本下降超30%，实现自主稳定供应，为产业链提供安全保障。

这项突破意义深远。传统先进制程依赖EUV光刻机，而光子芯片以铌酸锂为核心，采用光刻与薄膜工艺，无需高端光刻机即可制造高性能芯片，为国产芯片提供全新方向。铌酸锂可广泛用于数据中心、基站、卫星通信、手机射频、激光雷达等领域，支撑6G、AI、智能汽车等产业发展。华为等企业的试用将加速技术落地与产品迭代，形成自主技术壁垒，让外部封锁失效。

从长远看，红利持续释放。用户将享受更快网速、更稳信号、更低延迟，数字基础设施全面升级。高端材料与芯片自主可控，供应链安全性大幅提升。国产半导体从追赶先进制程转向赛道切换，以新材料、新架构实现跨越式发展。在全球科技竞争激烈的今天，8英寸铌酸锂晶圆量产，不仅是技术突破，更是中国半导体走向自主自强的重要标志，展现出新材料与新架构带来的无限可能。